Número do Produto do Fabricante:
BSB019N03LX G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSB019N03LX G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 174A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventário:
12799463
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BSB019N03LX G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Ta), 174A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8400 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / Estojo
3-WDSON
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000597826
BSB019N03LX G-DG
BSB019N03LXG
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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